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一、集成电路布图设计创作高度与作品创作高度的比较
集成电路布图设计的创作高度要求应高于作品的创作高度要求。第一，两者的创作难度差异大，创作布图设计的复杂度和难度远远超于著作。为了开发一种芯片，首先要创作出布图设计，即要把成千上万甚至上亿个元件合理地分布在多个叠层中，并确定它们之间的联线，画出每一层的放大的三维布图设计，然后把电路的三维布图中的每一层电路布图设计实际的尺寸大小缩小复制在玻璃板上，制成一张张用于生产芯片的掩膜作品。通过掩膜，采用半导体工艺，把电路的布图设计做在半导体或绝缘基片上，成为芯片。
布图设计的创作是芯片制造中最为关键的一步，也是最体现创造性和独特性的部分，为了设计出符合预定功能的布图设计，往往需要投入大量的人力和物力，根据行业调查显示，创造布图设计产生的费用占到芯片的制作成本中的绝大部分，该比例常常达到百分之八十以上。其创作难度显然大于著作权法上的作品。第二，两者的创作空间不同，其根源于两者创作的表现形式存在巨大差异。著作权法上的作品的表现形式不受限制，不同的作者对相同的主题、同一思想可以创造出完全不同的作品。而集成电路布图设计服务于工业利用，为了保证集成电路电子功能的实现，布图设计本身不得不受到材料、功能、自然规律、技术等方面的制约。其表现形式的受限性主要体现为:首先，生产工艺水平受限。电路元件的面积与集成电路的集成度、高频性成反比。因此,布图设计的线条宽度也相对较细。但缩小电路元件体积会使集成电路的制作工艺难度大大增加，进而产品的成品率和可靠性将难以保证。同理，追求高品质的功率参数的则需要更大面积的芯片,这同样会导致集成电路成品率的降低。其次，集成电路功能参数的要求导致设计图形的其大小、形状必须保持在一定的范围内。制作材料及其特性和无法违背的物理定律也是重要的限制因素。再次，布图设计创造人在设计时通常会使用现有的模块电路。这些模块电路常常能最大程度的实现某些特定功能。创造人无法对这些模块电路进行改动而必须直接采用。因此，在排除了现存的常规设计因素的后，留给设计人的创造的空间已非常狭窄，明显小于作品的创作空间。
通过以上的分析，由于创作空间小且创作难度大，任何达到授权要求的创作高度的集成电路布图设计的产生必须经过一个较作品产生难度更大且更为复杂的过程，绝非相关领域的普通从业人员的一般劳动即可创造。所以从现实的角度来说，对集成电路布图设计的“独创性”要求的创作高度应该远远高于作品的独创性所要求的创作高度。
二、集成电路布图设计创作高度与发明创作高度的比较
综观各国的立法规定，只有设计人创造的具有“非显而易见性”或者“非常规性”的集成电路设计布图时法律才对其进行保护。立法中对“非显而易见性”或者“非常规设计”的规定本质上是对集成电路布图设计的质量要求，即其必须达到创作高度的最低下限方能受到专有权保护。然而就整个布图设计行业来说,这里的创作高度绝不等同于发明的创造性所要求的创作高度。
根据专利法的相关规定，申请专利的发明具备创造性是授予其专利权的必要条件之一，即要求一项发明与提出申请之日前的现有技术相比，应具有突出的实质性特点和显著的进步。其中，发明具有突出的实质性特点是指对所属技术领域的技术人员来说，发明相对于现有技术是非显而易见的。这里的“现有技术”显然比“非常规设计”的范围要大得多，并且突出的实质性特点和显著的进步，明显对发明的技术创造性提出了相当高的要求。那么，在集成电路布图设计行业，其中的技术性创造能否达到专利权中所要求的创作高度呢？答案是否定的。这主要基于以下几种理由:（一）一方面集成电路的规模反映出集成电路技术的发展水平。另一方面，集成电路的规模的变化也导致了新的计算机时代的来临。尽管设计者不时对半导体设计方案进行一定程度的修改、变动，其存储器的规模也在不断扩大。但存储器的设计、运作的基本原理并未改变，基本技术与构造目前依然沿用现有技术。单纯的对集成规模进行改变显然不符合专利法中“突出性特点”和“显著进步”的要求。甚至目前高度集成的电路产品都难以达到这样的创造性标准。所以,集成电路布图设计难以在专利法体系下获得保护；（二）使用计算机辅助设计（CAD）进行集成电路布图的创造已成为通行做法。由于CAD使用的电路单元在某种程度上已经能将相应功能发挥到极致，设计布图的表现形式具有单一性。通常较大规模的设计布图都由设计人将现有单元电路进行编排、组合形成。而在专利的“创造性”审查过程中，要求设计成果必须并非相关领域内的一般人员的普通劳动即可获得的。而对现有电路单元组合的结果显然难以到达这样的标准。
因此，集成电路布图设计所要求的创新能力远远小于专利法上对发明创造的要求，而创新能力在集成电路布图设计中体现在独创性之创作高度的要求上，因此，在判断一个布图设计的创作高度时，应该采用低于专利权中创造性所要求的创作高度。